Littérature de jeunesse et représentations « genrées » chez les élèves de 6 à 10 ans

De par sa place dans l’univers de l’enfance et de l’éducation, la littérature de jeunesse joue un rôle crucial dans les valeurs et représentations transmises aux enfants. Longtemps accusée de transmettre aux enfants des représentations stéréotypées, elle a évolué au fil du temps. Les albums de jeunesse tendent désormais à se séparer progressivement des stéréotypes à travers l’émergence d’albums contre-stéréotypés. Or, la lecture d’albums contre-stéréotypés influence-t-elle les représentations « genrées » des élèves au sein d’une école qui se base sur le principe d’égalité ? Au travers d’une étude fondée sur deux albums de littérature de jeunesse contre-stéréotypés « fille » (Le meilleur cow-boy de l’Ouest) et « garçon » (Hector, l’homme extraordinairement fort) étudiés dans deux classes de cycles 2 (CP) et 3 (CE2-CM1-CM2), il est apparu que les enfants âgés de 6 à 10 ans avaient une représentation des genres masculin et féminin empreinte de stéréotypes. Suite à la lecture d’albums contre-stéréotypés, les représentations des élèves, et notamment des plus âgés, semblaient avoir évolué vers des représentations non-stéréotypées. Toutefois, cette évolution des représentations est apparue fortement tributaire de l’âge des élèves : la modification des représentations sociales ne semble pas perdurer de la même manière dans le temps suivant la maturité d’identité sexuée et les connaissances qu’ont les élèves sur le monde ; les élèves de cycle 3 étant beaucoup plus réceptifs à la morale véhiculée par les albums que les élèves de cycle 2

Single quantum dash mode-locked laser as a comb-generator in four-channel 112 Gbit/s WDM transmission

International audienceWe demonstrate 100 km transmission at 28 Gbit/s/channel of 4 DWDM channels using a single quantum-dash mode-locked laser. The amplitude noise of each filtered laser line is improved using limiting amplification in an SOA

10-Gb/s Operation of a Colorless Self-Seeded Transmitter Over More Than 70 km of SSMF

n/

Self-Seeded RSOA-Fiber Cavity Lasers vs. ASE Spectrum-Sliced or Externally Seeded Transmitters—A Comparative Study

Reflective semiconductor optical amplifier fiber cavity lasers (RSOA-FCLs) are appealing, colorless, self-seeded, self-tuning and cost-efficient upstream transmitters. They are of interest for wavelength division multiplexed passive optical networks (WDM-PONs) based links. In this paper, we compare RSOA-FCLs with alternative colorless sources, namely the amplified spontaneous emission (ASE) spectrum-sliced and the externally seeded RSOAs. We compare the differences in output power, signal-to-noise ratio (SNR), relative intensity noise (RIN), frequency response and transmission characteristics of these three sources. It is shown that an RSOA-FCL offers a higher output power over an ASE spectrum-sliced source with SNR, RIN and frequency response characteristics halfway between an ASE spectrum-sliced and a more expensive externally seeded RSOA. The results show that the RSOA-FCL is a cost-efficient WDM-PON upstream source, borrowing simplicity and cost-efficiency from ASE spectrum slicing with characteristics that are, in many instances, good enough to perform short-haul transmission. To substantiate our statement and to quantitatively compare the potential of the three schemes, we perform data transmission experiments at 5 and 10 Gbit/s

Self-Seeded RSOAs WDM PON Field Trial for Business and Mobile Fronthaul Applications

GEth, CPRI and 10 Gbit/s transmissions are experimented using amplified and standard self-seeded RSOA WDM PON systems. A field trial setup was exploited to test the system performance in terms of reach and optical budget

L’enfant et la mort dans l’Antiquité III. Le matériel associé aux tombes d’enfants

Ce volume rassemble les communications presentées à la troisième et dernière réunion scientifique organisée dans le cadre du programme « L’enfant et la mort dans l’Antiquité : des pratiques funéraires à l’identité sociale » (EMA), financé par l’Agence nationale de la recherche (ANR) de novembre 2007 à novembre 2011. Les 26 contributions - rédigées en français, en italien ou en anglais - envisagent la question du matériel associé aux tombes d’enfants. Dépose-t-on autant d’objets auprès des tout-petits, des enfants de 6-7 ans et de 12-13 ans ? La nature de ces offrandes varie-t-elle en fonction du sexe ? Dans quelle mesure certaines d’entre elles - « biberons », vases miniatures, astragales, figurines en terre cuite sont-elles caractéristiques des sépultures d’immatures ? Ces questions se posent-elles de la même façon dans les différentes régions du monde méditerranéen et tout au long des douze siècles environ que couvre notre enquête ? Les articles réunis ici envisagent ces problèmes dans un cadre plus large que celui du monde méditerranéen classique - Grèce et Rome -, en intégrant des études relatives à l’Égypte préhellénistique, à Carthage, au monde celtique du Midi et à la Gaule non méditerranéenne. Certaines de ces contributions présentent des découvertes récentes, partiellement ou entièrement inédites.Ce volume rassemble les communications presentées à la troisième et dernière réunion scientifique organisée dans le cadre du programme « L’enfant et la mort dans l’Antiquité : des pratiques funéraires à l’identité sociale » (EMA), financé par l’Agence nationale de la recherche (ANR) de novembre 2007 à novembre 2011. Les 26 contributions - rédigées en français, en italien ou en anglais - envisagent la question du matériel associé aux tombes d’enfants. Dépose-t-on autant d’objets auprès des tout-petits, des enfants de 6-7 ans et de 12-13 ans ? La nature de ces offrandes varie-t-elle en fonction du sexe ? Dans quelle mesure certaines d’entre elles - « biberons », vases miniatures, astragales, figurines en terre cuite sont-elles caractéristiques des sépultures d’immatures ? Ces questions se posent-elles de la même façon dans les différentes régions du monde méditerranéen et tout au long des douze siècles environ que couvre notre enquête ? Les articles réunis ici envisagent ces problèmes dans un cadre plus large que celui du monde méditerranéen classique - Grèce et Rome -, en intégrant des études relatives à l’Égypte préhellénistique, à Carthage, au monde celtique du Midi et à la Gaule non méditerranéenne. Certaines de ces contributions présentent des découvertes récentes, partiellement ou entièrement inédites

The evolving SARS-CoV-2 epidemic in Africa: Insights from rapidly expanding genomic surveillance

INTRODUCTION Investment in Africa over the past year with regard to severe acute respiratory syndrome coronavirus 2 (SARS-CoV-2) sequencing has led to a massive increase in the number of sequences, which, to date, exceeds 100,000 sequences generated to track the pandemic on the continent. These sequences have profoundly affected how public health officials in Africa have navigated the COVID-19 pandemic. RATIONALE We demonstrate how the first 100,000 SARS-CoV-2 sequences from Africa have helped monitor the epidemic on the continent, how genomic surveillance expanded over the course of the pandemic, and how we adapted our sequencing methods to deal with an evolving virus. Finally, we also examine how viral lineages have spread across the continent in a phylogeographic framework to gain insights into the underlying temporal and spatial transmission dynamics for several variants of concern (VOCs). RESULTS Our results indicate that the number of countries in Africa that can sequence the virus within their own borders is growing and that this is coupled with a shorter turnaround time from the time of sampling to sequence submission. Ongoing evolution necessitated the continual updating of primer sets, and, as a result, eight primer sets were designed in tandem with viral evolution and used to ensure effective sequencing of the virus. The pandemic unfolded through multiple waves of infection that were each driven by distinct genetic lineages, with B.1-like ancestral strains associated with the first pandemic wave of infections in 2020. Successive waves on the continent were fueled by different VOCs, with Alpha and Beta cocirculating in distinct spatial patterns during the second wave and Delta and Omicron affecting the whole continent during the third and fourth waves, respectively. Phylogeographic reconstruction points toward distinct differences in viral importation and exportation patterns associated with the Alpha, Beta, Delta, and Omicron variants and subvariants, when considering both Africa versus the rest of the world and viral dissemination within the continent. Our epidemiological and phylogenetic inferences therefore underscore the heterogeneous nature of the pandemic on the continent and highlight key insights and challenges, for instance, recognizing the limitations of low testing proportions. We also highlight the early warning capacity that genomic surveillance in Africa has had for the rest of the world with the detection of new lineages and variants, the most recent being the characterization of various Omicron subvariants. CONCLUSION Sustained investment for diagnostics and genomic surveillance in Africa is needed as the virus continues to evolve. This is important not only to help combat SARS-CoV-2 on the continent but also because it can be used as a platform to help address the many emerging and reemerging infectious disease threats in Africa. In particular, capacity building for local sequencing within countries or within the continent should be prioritized because this is generally associated with shorter turnaround times, providing the most benefit to local public health authorities tasked with pandemic response and mitigation and allowing for the fastest reaction to localized outbreaks. These investments are crucial for pandemic preparedness and response and will serve the health of the continent well into the 21st century

Kelvin force microscopy on gallium nitride materials and devices

Ce travail de thèse consiste à étudier l'instrumentation de la sonde de Kelvin (KFM) sur un microscope à force atomique (AFM) commercial et ensuite à caractériser les surfaces et composants à base nitrure de gallium (GaN). Le potentiel de surface Vs, entre une pointe métallique et un matériau semiconducteur dépend de la différence de travaux de sortie des deux matériaux, des concentrations en dopants et des états de surface du semiconducteur. La technique KFM permet d'obtenir cette information à une échelle nano ou micrométrique. Ce projet a consisté à développer ce mode de mesure à partir de microscopes AFM commerciaux. L'étude de l'instrumentation a permis de montrer la présence de couplages parasites qui entachent d'erreur la mesure de Vs. Une stratégie est alors proposée pour permettre la mesure de Vs tout en s'affranchissant de ces effets parasites. Cette technique est ensuite appliquée à la caractérisation de structures à base de GaN. L'intérêt pour ce matériau semiconducteur à large bande interdite est croissant en électronique de puissance, par exemple pour la réalisation d'émetteurs électroniques de puissance. Pour étudier les propriétés électriques de ce matériau, nous avons réalisé une référence de potentiel qui nécessite le développement de contacts ohmiques sur le GaN de type n et p. A partir des valeurs de Vs mesurées par KFM, nous en déduisons la densité de charges de surface et une estimation de la densité d'états de surface du GaN. Enfin, nous avons étudié par KFM les effets de traitements de surface sur des structures MIS à base de GaN de type n, ainsi que les effets de différentes passivations sur des transistors HEMT à base d'AIGaN/GaN.The purpose of the thesis is to study GaN materials and devices with an atomic force microscopy in Kelvin Force Mode. The contact potential difference between a metal tip and a semiconducting material depends on the work function difference between the materials, the concentration of dopants, and the density of acceptor or donor surface states. KFM techniques provide this information at the nano- or micrometer scale. ln a first step, we have developed KFM measurement procedures on commercial microscopes in order to extract fully quantitative measurements of surface potentials. We have evidenced instrumental capacitive cross talks, for example between the electrostatic excitation and the microscope photodiode, which act as parasitic terms in the measurement of surface potentials, and need to be properly taken into account in order to get reliable measurements of contact potential differences. ln a second step we have studied the electrical properties of GaN surfaces, this material being of strong interest for power electronic applications such as electron emitters. To get a potential reference for KFM measurements, ohmic contacts on n and p-type GaN have been achieved. The KFM characterization of the layers shows surface-state induced band-bending at the oxidized GaN surface. From the values of surface potentials, we calculate the density of charge and estimate the density of surface states. We finally study the effects of surface treatments on n-GaN-MIS structures, as weIl as different types of passivation used in AlGaN/GaN HEMTs

Etude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires

Thèse de doctorat en Sciences des Matériaux, Université de Lille 1, 3 marsCe travail de thèse consiste à étudier l'instrumentation de la sonde de Kelvin (KFM) sur un microscope à force atomique (AFM) commercial et ensuite à caractériser les surfaces et composants à base nitrure de gallium (GaN). Le potentiel de surface Vs, entre une pointe métallique et un matériau semiconducteur dépend de la différence de travaux de sortie des deux matériaux, des concentrations en dopants et des états de surface du semiconducteur. La technique KFM permet d'obtenir cette information à une échelle nano ou micrométrique. Ce projet a consisté à développer ce mode de mesure à partir de microscopes AFM commerciaux. L'étude de l'instrumentation a permis de montrer la présence de couplages parasites qui entachent d'erreur la mesure de Vs. Une stratégie est alors proposée pour permettre la mesure de Vs tout en s'affranchissant de ces effets parasites. Cette technique est ensuite appliquée à la caractérisation de structures à base de GaN. L'intérêt pour ce matériau semiconducteur à large bande interdite est croissant en électronique de puissance, par exemple pour la réalisation d'émetteurs électroniques de puissance. Pour étudier les propriétés électriques de ce matériau, nous avons réalisé une référence de potentiel qui nécessite le développement de contacts ohmiques sur le GaN de type n et p. A partir des valeurs de Vs mesurées par KFM, nous en déduisons la densité de charges de surface et une estimation de la densité d'états de surface du GaN. Enfin, nous avons étudié par KFM les effets de traitements de surface sur des structures MIS à base de GaN de type n, ainsi que les effets de différentes passivations sur des transistors HEMT à base d'AIGaN/GaN

Etude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires

Thèse de doctorat en Sciences des Matériaux, Université de Lille 1, 3 marsCe travail de thèse consiste à étudier l'instrumentation de la sonde de Kelvin (KFM) sur un microscope à force atomique (AFM) commercial et ensuite à caractériser les surfaces et composants à base nitrure de gallium (GaN). Le potentiel de surface Vs, entre une pointe métallique et un matériau semiconducteur dépend de la différence de travaux de sortie des deux matériaux, des concentrations en dopants et des états de surface du semiconducteur. La technique KFM permet d'obtenir cette information à une échelle nano ou micrométrique. Ce projet a consisté à développer ce mode de mesure à partir de microscopes AFM commerciaux. L'étude de l'instrumentation a permis de montrer la présence de couplages parasites qui entachent d'erreur la mesure de Vs. Une stratégie est alors proposée pour permettre la mesure de Vs tout en s'affranchissant de ces effets parasites. Cette technique est ensuite appliquée à la caractérisation de structures à base de GaN. L'intérêt pour ce matériau semiconducteur à large bande interdite est croissant en électronique de puissance, par exemple pour la réalisation d'émetteurs électroniques de puissance. Pour étudier les propriétés électriques de ce matériau, nous avons réalisé une référence de potentiel qui nécessite le développement de contacts ohmiques sur le GaN de type n et p. A partir des valeurs de Vs mesurées par KFM, nous en déduisons la densité de charges de surface et une estimation de la densité d'états de surface du GaN. Enfin, nous avons étudié par KFM les effets de traitements de surface sur des structures MIS à base de GaN de type n, ainsi que les effets de différentes passivations sur des transistors HEMT à base d'AIGaN/GaN